Web Analytics
تراشه 3 نانومتری

سامسونگ به زودی تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری را آغاز می‌کند

غول کره‌ای برای رقابت با TSMC از ترانزیستورهای 3 نانومتری GAAFET استفاده خواهد کرد
غول کره‌ای برای رقابت با TSMC از ترانزیستورهای 3 نانومتری GAAFET استفاده خواهد کرد
آی تی جو بستری جهت درج تبلیغات دانش محور محصولات شما

سامسونگ جاه‌طلبی‌های بزرگی برای بخش نیمه‌هادی خود دارد و بخش مهمی از بودجه 205 میلیارد دلاری آن برای پیشرفت در ساخت تراشه، رباتیک، هوش مصنوعی و داروسازی زیستی است. کمتر از نیمی از این بودجه صرف کارخانه‌های تراشه‌های پیشرفته و تحقیق و توسعه نودهای پردازشی و ترانزیستورهای جدید می‌شود.

سامسونگ باید از اشتباهاتش درس بگیرد

با این حال، غول فناوری کره‌ای در انتقال به نودهای پردازشی کوچک‌تر مشکلات راندمان زیادی را تجربه کرده است که بر محصولات برخی از بزرگترین مشتریانش مانند کوالکام تأثیر گذاشته است؛ از این رو کوالکام اکنون TSMC را برای تراشه‌های موبایل آینده خود در نظر گرفته است. انویدیا نیز پس از مواجهه با مشکلات عملکرد و راندمان انرژی پایین با پردازنده‌های گرافیکی آمپر (Ampere)، که بر روی نود پردازشی 8 نانومتری سامسونگ ساخته شده‌اند، برای محصولات نسل بعدی خود با TSMC همکاری خواهد کرد.

با اینتل جوان شده به رهبری پت گلسینگر، رقابت در عرصه تولید نیمه‌هادی‌ها تشدید می‌شود. سامسونگ باید در رقابت برای تولید تجاری 3 نانومتری دیگران را شکست دهد وگرنه نمی‌تواند مشتریان بزرگی مانند انویدیا، AMD، اپل و دیگران را جذب کند. TSMC می‌گوید در ماه‌های آینده حجم تولید نودهای پردازشی 3 نانومتری افزایش خواهد داد، بنابراین فرصت برای سامسونگ بسیار کوتاه است.

تراشه کامپیوتری

سامسونگ این را می‌داند و برای رسیدن به برنامه TSMC تلاش می‌کند. اما در حالی که این شرکت قصد داشت تولید تراشه‌های 3 نانومتری را تا پایان این ماه میلادی آغاز کند، این جدول زمانی ممکن است کمی بیش از حد خوش‌بینانه باشد. در ماه آوریل، مدیران بخش ریخته‌گری سامسونگ به سرمایه‌گذاران گفتند که تولید تجاری این محصولات در عرض چند هفته آغاز می‌شود، اما هنوز شاهد اطلاع‌رسانی رسمی در این زمینه نیستیم.

تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری به زودی آغاز می‌شود

گزارش‌های رسانه‌های محلی در کره جنوبی نشان می‌دهد که سامسونگ در حال آماده شدن برای اعلام آغاز تولید 3 نانومتری احتمالاً در همین هفته است. این یک نمایش قدرت عالی در برابر رقیب قدرتمند یعنی TSMC خواهد بود، و همچنین به این معنی است که این شرکت کره‌ای اولین شرکتی خواهد بود که از ترانزیستورهای اثر میدانی گیت (GAAFET) استفاده می‌کند.

ترانزیستورهای 3 نانومتری GAAFET (Gate-all-around transistor) به 50 درصد انرژی کمتر نیاز دارند، 45 درصد فضای کمتری را اشغال می‌کنند و می‌توانند در ولتاژهای بسیار پایین با پایداری بیشتر کار کنند.

شایعاتی زمزمه می‌شود که سامسونگ اولین مشتریان خود را نیز برای نود پردازشی جدید تضمین کرده است، بنابراین جالب است که ببینیم آیا این شرکت می‌تواند از تکرار اشتباهات 8 نانومتری و 4 نانومتری خود جلوگیری کند یا خیر. در هر صورت، کسب‌وکار ریخته‌گری نقش مهمی در سود نهایی سامسونگ دارد و بیش از نیمی از سود عملیاتی این شرکت (حدود 6.7 میلیارد دلار) از بخش تراشه‌ها دریافت می‌شود.

آی تی جو بستری جهت اطلاع رسانی، مدیریت و برگزاری وبینارهای تخصصی و آموزشی شما