Web Analytics
سامسونگ وی نند - samsung v-nand

سامسونگ بر روی ساخت حافظه V-NAND نسل جدید کار می‌کند

همزمان با گسترش PCIe 5.0 و ورود پردازنده‌های نسل جدید ای‌ام‌دی و اینتل، حافظه‌های نسل جدید سامسونگ وارد مرحله آماده‌سازی شده‌اند
همزمان با گسترش PCIe 5.0 و ورود پردازنده‌های نسل جدید ای‌ام‌دی و اینتل، حافظه‌های نسل جدید سامسونگ وارد مرحله آماده‌سازی شده‌اند
آی تی جو بستری جهت درج تبلیغات دانش محور محصولات شما

خلاصه خبر

سامسونگ اکنون در حال آماده شدن برای شروع تولید انبوه حافظه V-NAND نسل هشتم آینده خود است، که انتظار می‌رود در SSD‌های آینده، از جمله درایوهای آینده با قابلیت PCIe 5.0 یافت شود. این پیشرفت‌های جدید در حافظه فلش NAND می‌تواند دستاوردهای عظیمی را در سرعت ذخیره‌سازی و انتقال بالقوه برای کاربران به همراه داشته باشد.

سامسونگ اخیراً وارد مرحله آماده‌سازی شده تا کار تولید انبوه ماژول‌های حافظه V-NAND نسل هشتم خود را آغاز کند. انتظار می‌رود این ماژول‌ها دارای 236 لایه باشند که به سامسونگ اجازه می‌دهد تا قدرت و داده‌های بیشتری را به ماژول‌های V-NAND کوچک ارائه دهد.

ماژول‌های نسل هفتم V-NAND سامسونگ که سال گذشته عرضه شدند، دارای 176 لایه بودند و از سرعت 2 گیگاترانسفر بر ثانیه پشتیبانی می کردند و طبیعی است که با معرفی نسل هشتم V-NAND این سرعت افزایش یابد.

نسل جدید VNAND تحولی در ذخیره‌سازی

قطعاً این خبر بزرگی برای رایانه‌های دسکتاپ و لپ‌تاپ‌هاست، اما برای گوشی‌های هوشمند نیز قابل توجه خواهد بود، زیرا این دستگاه‌ها \شروع به پشتیبانی از پروتکل‌های UFS 3.1 و اخیراً از پروتکل‌های UFS 4.0 کرده‌اند که سرعت ذخیره‌سازی فلش را حتی سریع‌تر می‌کند.

ساخت ماژول‌های 3D-NAND با این لایه‌های زیاد کار آسانی نیست. در حالی که سامسونگ با عرضه نسل اول V-NAND در سال 2013 از رقبا جلوتر بود، اما در تولید ماژول‌ها به طور قابل توجهی محتاط و محافظه‌کار شد. به همین دلیل، وقتی که Micron و SK Hynix ماژول های 232 و 238 لایه خود را منتشر کردند، آن‌ها در مرز 200 لایه عقب ماندند. با این حال، سامسونگ نمونه‌هایی از حافظه V-NAND را با بیش از 200 لایه در سال گذشته تولید کرد، بنابراین آن‌ها اکنون باید دانش لازم برای کارکرد آن داشته باشند.

نسل جدید V-NAND می‌تواند عملکرد و ظرفیت قابل توجهی را افزایش دهد. در حالی که ما هنوز اعداد خاصی برای ماژول های نسل هشتم سامسونگ نداریم، یکی از رقبای قبلی سامسونگ، یعنی میکرون، اطلاعاتی در مورد NAND با بیش از 200 لایه ارائه کرده است.

حافظه اس اس دی سامسونگ V-NAND

میکرون نیز ماژول با بیش از ۲۰۰ لایه می‌سازد

میکرون ادعا می‌کند که NAND  با 232 لایه آنها می تواند تا 2 ترابایت در هر ماژول و همچنین سرعت خواندن 11.68 گیگابایت در ثانیه و نوشتن 10 گیگابایت در ثانیه را پشتیبانی کند که همه آن‌ها روی یک تراشه کوچکتر از یک تمبر پستی امکان‌پذیر می‌شود. همچنین بهبودهایی در تاخیر خواندن وجود دارد که می‌تواند سرعت انتقال را برای کاربران بهبود بخشد.

مادربورد و پردازنده‌های جدید نیز در راهند

افزایش داده‌های بالقوه در یک ماژول NAND به این معنی است که می‌توانیم انتظار داشته باشیم که در آینده نزدیک شاهد عرضه SSD‌های بسیار بزرگ‌تر با سرعت‌های بیش از 10 گیگابایت بر ثانیه به دست مصرف‌کنندگان باشیم. از طرفی این‌ها همزمان با راه‌اندازی پردازنده‌های AMD Ryzen 7000 و Raptor Lake اینتل در راه است، زیرا آن‌ها می‌توانند از سرعت انتقال بیش از 10 گیگابایت بر ثانیه پشتیبانی کنند. در عرض چند ماه آینده، کاربران می‌توانند یک SSD جدید سامسونگ PCIe 5.0 را با CPU و مادربرد جدید خود انتخاب کنند. این می‌تواند زمان بسیار هیجان انگیزی برای طرفداران فناوری‌های ذخیره‌سازی باشد.

آی تی جو بستری جهت اطلاع رسانی، مدیریت و برگزاری وبینارهای تخصصی و آموزشی شما