برنامه‌های سامسونگ برای ورود به تولید تراشه در کلاس ۱/۴ نانومتری از طریق گره SF1.4 با تردیدهای جدی مواجه شده است؛ چالش‌های مداوم در بخش ریخته‌گری نیمه‌رسانا، آینده این پروژه را در هاله‌ای از ابهام قرار داده‌اند. گره SF1.4 قرار بود بهبودهای قابل توجهی در بهره‌وری انرژی و عملکرد به‌ویژه برای کاربردهای محاسبات سریع و هوش مصنوعی ارائه دهد. این فناوری با هدف کاهش هزینه‌های تولید و افزایش رقابت‌پذیری سامسونگ طراحی شده بود.
در ابتدا، برنامه‌ریزی شده بود که تولید انبوه گره SF1.4 در سال ۲۰۲۷ آغاز شود، همراه با گره‌های تخصصی دیگر نظیر SF2A برای صنایع خودروسازی و SF2Z که نخستین فناوری سامسونگ با قابلیت تأمین برق از پشت ویفر سیلیکونی به شمار می‌رود.
با این حال، گزارش‌هایی از سوی افشاگر معتبر @Jukanlosreve حاکی از آن است که ممکن است پروژه SF1.4 به‌طور کامل لغو شود. این مسئله بخشی از مجموعه‌ای از چالش‌های گسترده‌تر است که بخش ریخته‌گری نیمه‌رسانای سامسونگ با آن روبرو است، از جمله مشکلات مداوم در نرخ بازدهی گره SF3 که موجب تأخیر در عرضه Exynos 2500 شده است. همچنین، به دلیل کاهش تقاضا، سامسونگ ناچار به کاهش فعالیت در گره‌های ۵ و ۷ نانومتری خود شده است.
با وجود این موانع، سامسونگ همچنان توسعه Exynos 2600 را بر پایه گره SF2 ادامه می‌دهد و همچنین در حال کار بر روی تراشه‌های هوش مصنوعی برای شرکت PFN است. همچنین، برخی گره‌های ۴ نانومتری این شرکت مجدداً سفارش‌هایی از شرکت‌های فب‌لس چینی دریافت کرده‌اند که تحت تأثیر تحریم‌ها قرار گرفته‌اند.
با این حال، سامسونگ همچنان از رقبایی مانند TSMC و اینتل عقب مانده است. سهم بازار سامسونگ در بخش ریخته‌گری نیمه‌رسانا تنها ۸/۲ درصد است، در حالی که سهم TSMC به ۶۷/۱ درصد می‌رسد. این فاصله باعث شده که بحث‌هایی در مورد اصلاح ساختار داخلی شرکت شکل بگیرد؛ از جمله احتمال انتقال بخش Exynos به سامسونگ MX تا مدیریت متمرکزتری بر توسعه سیستم-روی-چیپ‌های گوشی‌های هوشمند ایجاد شود.
عملکرد کلی شرکت نیز تحت فشار قرار دارد. سهم بازار سامسونگ در بخش موبایل در سال ۲۰۲۴ به ۲۸/۳ درصد کاهش یافته، در حالی که این رقم در سال ۲۰۲۳ برابر با ۳۰/۱ درصد بود. همچنین، سهم بازار سامسونگ در حوزه DRAM نیز از ۴۲/۲ درصد به ۴۱/۵ درصد کاهش یافته است. علاوه بر این، این شرکت با ریسک‌های ژئوپلیتیکی و نوسانات قیمت مواد اولیه نیز مواجه است.
در پاسخ به این چالش‌ها، سامسونگ قصد دارد سرمایه‌گذاری خود در بخش ریخته‌گری نیمه‌رسانا را در سال ۲۰۲۵ بیش از ۵۰ درصد کاهش دهد و آن را از ۱۰ تریلیون وون در سال ۲۰۲۴ به ۵ تریلیون وون (معادل ۳/۵ میلیارد دلار) برساند.
